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OASIS Repository@POSTECHLIBRARY
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Article
Reduction of Process Variations for Sub-5-nm Node Fin and Nanosheet FETs Using Novel Process Scheme
SCIE
SCOPUS
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 67, no. 7, page. 2732 - 2737, 2020-07
Yoon, J.-S.
;
Lee, S.
;
Lee, J.
;
Jeong, J.
;
Yun, H.
;
et al
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