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2006-Aug	Very high quality AlN grown on (0001) sapphire by using metal-organic vapor-phase epitaxy IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2006-08-02 김종규; K. Chen; Y. A. Xi; F. Mont; E. F. Schubert; W. Wetzel; W. Liu; X. Li; J. A. Smart; L. J. Schowalter

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